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[国家标准] GB/T 4937.34-2024:半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分:功率循环 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 34: Power cycling

发布日期 : 2024-03-15

实施日期 : 2024-07-01

内容简介 : 本文件描述了一种确定半导体器件对热应力和机械应力耐受能力的方法,通过对器件内部芯片和连接结构施加循环耗散功率来实现。试验时,周期性施加和移除正向偏置(负载电流),使其温度快速变化。本试验是模拟电力电子的典型应用,也是对高温工作寿命(见IEC 60749-23)的补充。其失效机理可能不同于空气对空气温度循环试验及双液槽法快速温变试验。本试验会导致损伤,是破坏性试验。

[国家标准] GB/T 4937.35-2024:半导体器件 机械和气候试验方法 第35部分:塑封电子元器件的声学显微镜检查 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 35:Acoustic microscopy for plastic encapsulated electronic components

发布日期 : 2024-03-15

实施日期 : 2024-07-01

内容简介 : 本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷(分层、裂纹、模塑料空洞等)检查的方法,本方法具有可重复性,是非破坏性试验。

[国家标准] GB/T 4587-2023:半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors

发布日期 : 2023-09-07

实施日期 : 2024-04-01

内容简介 : 本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求:--小信号晶体管(开关和微波用除外);--线性功率晶体管(开关、高频和微波用除外);--放大和振荡用高频功率晶体管;--高速开关和电源开关用开关晶体管;--电阻偏置晶体管。

[国家标准] GB/T 4937.26-2023:半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试 人体模型(HBM) 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Mechanical and climate test methods—Part 26:Electrostatic discharge(ESD)sensitivity testing—Human body model(HBM)

发布日期 : 2023-09-07

实施日期 : 2024-04-01

内容简介 : 本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型(HBM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法,并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果,且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器...

[国家标准] GB/T 42709.19-2023:半导体器件 微电子机械器件 第19部分:电子罗盘 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 19:Electronic compasses

发布日期 : 2023-08-06

实施日期 : 2024-03-01

内容简介 : 本文件界定了电子罗盘的术语和定义,规定了基本额定值和特性,描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘,或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。 对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。 本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

[国家标准] GB/T 4937.27-2023:半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试机器模型(MM) 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 27:Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing—Machine model (MM)

发布日期 : 2023-05-23

实施日期 : 2023-12-01

内容简介 : 本文件依据半导体器件对规定的机器模型(MM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了半导体器件ESD测试和分级的标准程序。本文件相对于人体模型ESD,用作一种可选的测试方法,目的是提供可靠、可重复的ESD测试结果,以此进行准确分级。本文件适用于半导体器件,属于破坏性试验。半导体器件的ESD测试从本文件、人体模型(HBM见GB/T 4937.26)或GB/T 4937系列中的其他测试方法中选择...

[国家标准] GB/T 42709.5-2023:半导体器件 微电子机械器件 第5部分:射频MEMS开关 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5:RF MEMS switches

发布日期 : 2023-05-23

实施日期 : 2023-09-01

内容简介 : 本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号,描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关,射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类,包括直流触点型开关和电容触点型开关;按结构分类,包括串联开关和并联开关,射频MEMS开关的几何结构说明见附录B;按开关网络分类,包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等;按驱动方式...

[国家标准] GB/T 4937.31-2023:半导体器件 机械和气候试验方法 第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的) 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 31:Flammability of platic-encapsulated devices(internally induced)

发布日期 : 2023-05-23

实施日期 : 2023-12-01

内容简介 : 本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。

[国家标准] GB/T 4937.32-2023:半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的) 现行

英文名称 : Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 32:Flammability of platic-encapsulated devices(externally induced)

发布日期 : 2023-05-23

实施日期 : 2023-12-01

内容简介 : 本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路),以下简称器件。 本文件用于确定器件是否由于外部发热造成燃烧。本试验使用针焰,模拟内部装有元器件的设备在故障条件下可能引起的小火焰的影响。 注:除了本章增加的内容以及第2章和第4章增加了标题并重新编号外,本试验方法与IEC 60749(1996)第4章1.2的试验方法一致。

[国家标准] GB/T 42706.5-2023:电子元器件 半导体器件长期贮存 第5部分:芯片和晶圆 现行

英文名称 : Electronic components—Long-term storage of electronic semiconductor devices—Part 5:Die and wafer devices

发布日期 : 2023-05-23

实施日期 : 2023-09-01

内容简介 : 本文件规定了单个芯片、部分晶圆或整个晶圆,以及带金属结构(引入金属层、植球植柱等)芯片的贮存条件和规则,同时为含有芯片或晶圆的通用和专用封装产品提供了操作指导。 本文件适用于预计贮存时间超过12个月的芯片和晶圆的长期贮存。

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