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本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。
读者对象：标准编号：GB/T 42709.5-2023
标准名称：半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关
英文名称：Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5:RF MEMS switches
标准状态：现行
发布日期：2023-05-23
实施日期：2023-09-01
出版语种：中文简体
起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子信息产业集团有限公司、北京大学、北京必创科技股份有限公司、河北美泰电子科技有限公司
发布部门：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
标准ICS号：31.200
中标分类号：L40
代替标准：
被代替标准：
