英文名称 : Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption

内容简介 : 本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。 本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。

英文名称 : Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method

内容简介 : 本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。 本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。

英文名称 : Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method

内容简介 : 本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。

英文名称 : Method for chemical analysis of metal germanium—Part 3:Determination of trace impurity elements content—Glow discharge mass spectrometry

内容简介 : 本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。

英文名称 : Determination of fluorine ion and chloride ion in silicon nitride powder—Ion chromatography method

内容简介 : 本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。

英文名称 : Determination of the content and distribution of trace elements (magnesium,gallium) in aluminum nitride materials—Secondary ion mass spectrometry

内容简介 : 本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3，元素含量（原子个数百分比）不大于1%。 注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。

英文名称 : Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method

内容简介 : 本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3（0.2%）的硅单晶中氮含量的测定，测定范围不小于1×1014 cm-3。注： 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。

英文名称 : Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method

内容简介 : 本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。 本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3

英文名称 : Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

内容简介 : 本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。

英文名称 : Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry

内容简介 : 本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。 注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。