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[国家标准] GB/T 6590-1998：半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
现行
英文名称 : Semiconductor device-Discrete devices—Part 6:Thyristors Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient or case-rated,up to 100A
内容简介 :
[国家标准] GB/T 6352-1998：半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
现行
英文名称 : Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section One-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient or case-rated,up to 100A
内容简介 :
[国家标准] GB/T 6351-1998：半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
现行
英文名称 : Semiconductor devices Discrete devices Part 2:Rectifier diodes Section One-Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes), ambient and case-rated,up to 100A
内容简介 :
