英文名称 : Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)

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英文名称 : Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes

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英文名称 : Measuring methods for microwave diodes

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英文名称 : Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes

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英文名称 : Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:Microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification

内容简介 : 本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。

英文名称 : Blank detail specification for variable capacitance diodes

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英文名称 : Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes

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英文名称 : Blank detail specification for gunn diodes

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英文名称 : Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

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英文名称 : Blank detail specification for unijunction transistors

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