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本文件规定了导电型4H碳化硅(4HSiC)晶体材料缺陷的形貌特征，产生原因和缺陷图谱。本文件适用于半导体行业碳化硅（晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等环节。
读者对象：标准编号：GB/T 43612-2023
标准名称：碳化硅晶体材料缺陷图谱
英文名称：Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
标准状态：现行
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
出版语种：中文简体
起草单位：广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏卓远半导体有限公司
发布部门：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
标准ICS号：29.045
中标分类号：H80
代替标准：
被代替标准：
