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本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及订购与供货。本文件适用于在真空或保护气氛下，采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置。采用高频感应加热的生长碳化硅单晶的装置参照使用。本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置，其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。
读者对象：标准编号：GB/T 10067.417-2023
标准名称：电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置
英文名称：Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installations—Part 417:Silicon carbide crystal growth installations
标准状态：现行
发布日期：2023-05-23
实施日期：2023-12-01
出版语种：中文简体
起草单位：江苏星特亮科技有限公司、西安电炉研究所有限公司、安徽瑞驰新能源有限公司、河南天利热工装备股份有限公司、厦门晓讯新能源科技有限公司、成都粤海金半导体材料有限公司、州市乐萌压力容器有限公司、河北同光半导体股份有限公司、张家港市中亚特种变压器制造有限公司、西安慧金科技有限公司、株洲瑞德尔智能装备有限公司、中山市合硕高品电器有限公司、广东飞成新材料有限公司、西安福莱特热处理有限公司
发布部门：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
标准ICS号：25.180.10
中标分类号：K61
代替标准：
被代替标准：
