1、按照中国质量标准出版传媒有限公司（中国标准出版社）要求，自2022年5月9日起，加强电子版标准版权防护措施，标准电子书在购买并下载至客户电脑后，需安装FileOpen插件方可打开查阅（在尝试打开时将自动提示安装），同时与下载电脑绑定，并仅可在此一台电脑上使用，复制到其他设备上均无法打开。
2、标准电子书下单购买后，需等待数分钟方可下载，下载权限10天有效，请尽快下载使用。
3、电子商品不支持退换货，请仔细阅读以上提示后再行购买。
本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片（以下简称Low-COP抛光片）的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。
本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集成电路用直径为200 mm和300 mm、晶向<100>、电阻率0.1 Ω·cm～100 Ω·cm的Low-COP抛光片。
标准编号：GB/T 41325-2022
标准名称：集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
英文名称：Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
标准状态：现行
发布日期：2022-03-09
实施日期：2022-10-01
出版语种：中文简体
起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司
发布部门：国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
标准ICS号：29.045
中标分类号：H82
代替标准：
被代替标准：
